1. Выберите фамилию нашего соотечественника, получившего Нобелевскую премию за исследование полупроводников, использующихся в лазерах, средствах мобильной связи. 1) Басов 2) Прохоров 3) Гинзбург 4) Алфёров 2. Идеальный p–n-переход присоединён через металлические контакты к источнику тока так, что к p-полупроводнику присоединена отрицательная клемма источника. Если током неосновных носителей зарядов пренебречь, то ток 1) в p-области перехода обеспечивается в основном движением дырок, в n-области — электронов 2) в p-области перехода обеспечивается в основном движением электронов, в n-области — дырок 3) в p-области и n-области перехода обеспечивается в равной степени движением дырок и электронов 4) в р-области и п-области перехода не идёт

Ответы на вопросы теста:

1. Правильный ответ: 4) Алфёров. Жорес Иванович Алфёров получил Нобелевскую премию по физике в 2000 году за развитие полупроводниковых технологий.
2. Правильный ответ: 1) в p-области перехода обеспечивается в основном движением дырок, в n-области — электронов. Когда к p-n переходу подключают источник так, что отрицательный полюс (клемма) подключен к p-области, а положительный к n-области, создается обратное смещение. В этом случае электроны из n-области притягиваются к положительному полюсу, а дырки из p-области — к отрицательному. Однако, поскольку источник подключен таким образом, что p-область имеет отрицательный потенциал, а n-область — положительный, электроны из n-области будут отталкиваться от положительного полюса источника и двигаться к p-n переходу, а дырки из p-области будут отталкиваться от отрицательного полюса источника и двигаться к p-n переходу. Это приводит к движению основных носителей заряда (электронов в n-области и дырок в p-области) к p-n переходу. Таким образом, в p-области переход обеспечивается движением дырок, а в n-области — электронов.